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IRF6604
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
?
?
?
?
- ? +
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple  ≤  5%
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
Id
Vds
Vgs
V gs(th)
I SD
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 16. Gate Charge Waveform
www.irf.com
7
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